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  MICRON DDR4 SDRAM 2021-03-01 17:10:53

  MICROND? DR4S DRAM是一種高帶寬電子計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。它隸屬于SDRAM系列儲(chǔ)存器產(chǎn)品，提供比DDR3 SDRAM更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更低的電流電壓，是全新的儲(chǔ)存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

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  Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面貼裝振蕩器 2025-01-20 09:03:22

  Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振蕩器實(shí)現(xiàn)低功耗運(yùn)行，采用調(diào)諧叉設(shè)計(jì)，具備最快啟動(dòng)時(shí)間與緊湊頻率穩(wěn)定性，專為超低電流（典型55 μA）和快速啟動(dòng)（典型2 ms）應(yīng)用打造，能在高達(dá) +200°C高溫運(yùn)行且抗沖擊性強(qiáng)。其主要特點(diǎn)有高溫操作、超低電流、快速啟動(dòng)、高沖擊抗性、低老化、CMOS輸出等多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造于美國且提供全面軍事測(cè)試。該振蕩器適用于工業(yè)領(lǐng)域多種設(shè)備，規(guī)格參數(shù)涵蓋頻率、電源電壓、校準(zhǔn)容差、頻率穩(wěn)定性、輸出負(fù)載、老化、沖擊、振動(dòng)及工作溫度范圍等多方面指標(biāo) 。