Solitron 2N4338和2N4339 N溝道JFET
發(fā)布時間:2025-07-01 09:27:11 瀏覽:1249
Solitron Devices公司的2N4338和2N4339是專為低噪聲應(yīng)用設(shè)計(jì)的N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET),采用單晶硅工藝制造。這兩款器件在工業(yè)、軍事和航空航天領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,特別適合需要高可靠性、低噪聲和穩(wěn)定性能的電路設(shè)計(jì)。
參數(shù) | 2N4338 | 2N4339 | 單位 | 測試條件 |
漏極飽和電流(IDSS) | 0.2-0.6 | 0.5-1.5 | mA | VDS=15V, VGS=0V |
柵源截止電壓(VGS(OFF)) | <1.0 | <1.8 | V | VDS=15V, ID=50nA |
正向跨導(dǎo)(GFS) | 1200-2400 | 1600-3000 | μS | VDS=15V, VGS=0V, f=1kHz |
輸入電容(Ciss) | 5-7 | 5-7 | pF | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
反向傳輸電容(Crss) | 2.5-3.5 | 2.5-3.5 | pF | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz |
關(guān)鍵優(yōu)勢:
超低噪聲系數(shù)(4.2 nV/√Hz典型值)
極低截止電壓(2N4338<1.0V,2N4339<1.8V)
優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性(-55°C至+125°C)
高增益和良好的線性度
動態(tài)特性
噪聲性能:2N4338在1kHz時噪聲系數(shù)低至4.2nV/√Hz,非常適合音頻前置放大應(yīng)用
頻率響應(yīng):功率增益帶寬積約50MHz(典型值)
開關(guān)速度:開啟延遲時間約10ns(RL=1kΩ, VDD=15V)
封裝
TO-18金屬封裝:
3引腳圓形金屬外殼
尺寸:φ5.2mm×4.7mm(典型值)
重量:0.35g(典型值)
符合MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)
SOT-23塑料封裝:
3引腳表面貼裝
尺寸:2.9mm×1.6mm×1.0mm
適合高密度PCB設(shè)計(jì)
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DEI1282和DEI1284是8通道分立數(shù)字接口IC,用于航空電子系統(tǒng),能感應(yīng)并轉(zhuǎn)換八種離散信號為串行邏輯數(shù)據(jù)。支持TTL/CMOS輸入和三態(tài)輸出,電源電壓分別為3.3V和12V至16.5V,封裝為16LSOIC EP。DEI1282和DEI1284具備內(nèi)置測試功能,DEI1282可承受600V應(yīng)力,DEI1284結(jié)合外部電阻和TVS器件提供更高保護(hù)。支持高達(dá)8.6MHz數(shù)據(jù)速率,適用于高可靠性和隔離性要求的環(huán)境。
ADI?的ADG841-KG是種具備單極單擲(SPST)開關(guān)的低壓CMOS元器件。相對于邏輯1輸入,ADG841-KGD封閉。
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