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行業(yè)資訊
安森美SiC MOSFET技術(shù)引領(lǐng)高效能源的未來
發(fā)布時間:2025-11-05 09:01:05 瀏覽:213
為什么選擇SiC?
相比傳統(tǒng)硅器件,碳化硅(SiC)具有明顯優(yōu)勢:
耐壓更高(10倍于硅)
耐溫更好(3倍于硅)
發(fā)熱更低
開關(guān)更快

安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優(yōu)勢
安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現(xiàn)出顯著的技術(shù)亮點:
超低導(dǎo)通電阻(RDSon):大幅降低傳導(dǎo)損耗
優(yōu)化的柵極驅(qū)動(Rg=1.81Ω):實現(xiàn)更快開關(guān)速度
無閾值電壓漂移:長期穩(wěn)定性優(yōu)于競品
高dv/dt耐受能力(>100V/ns):抗干擾性強(qiáng)
應(yīng)用案例:在太陽能逆變器中,采用SiC MOSFET可降低系統(tǒng)損耗達(dá)30%,效率輕松突破98%。

主要應(yīng)用場景
1. 太陽能逆變器
特點:效率更高(>98%)、體積更小
趨勢:
小型逆變器:采用SiC分立器件
大型逆變器:逐步轉(zhuǎn)向全SiC模塊
2. 電動車充電
快充樁:必須使用SiC
充電更快
設(shè)備更小
發(fā)熱更少
典型案例:特斯拉超充已全面采用SiC

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品,歡迎咨詢了解。
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